为了研讨FLASH芯片的坏区添加与擦写次数为怎样的联系，现在没有有实践什物参照数据。下面运用Flash器材高低温擦写功能测验箱，经过FLASH芯片寿数实验，在地上模仿FLASH芯片在空间连续加电并屡次擦除、写和读操作，规划了以下实验办法。
配套东西：实验板1套，可接受作业环境和温度为-10℃～+70℃、稳压电源1套、测验计算机1台、测验电缆一套
串口1实时显现操作次数，每次操作时的坏区总数，串口2实时显现擦除和编程超时或反应犯错的区块号，串口3用于下传一切的坏区表、接纳指令康复某一坏区等需求交互的操作。寿数实验进程中每隔必定的动作次数后，需进行手动测验，经过串口遥测记载芯片在不同操作形式下的作业电流、坏区表、擦除反应过错、擦除超时坏区、编程反应过错、编程超时坏区以及误码率，并进行计算，最终绘成曲线。测验台需断电坚持芯片擦写的次数，并在串口遥测中显现。
实验进程有必要包括FLASH芯片的擦除和写操作，查核芯片长期的加电作业后功能是否下降（监督不同形式下的电流是否添加、擦除时刻是否会超时和编程时刻是否延伸），坏区是否添加。
FLASH芯片寿数实验总擦除次数为100000次，实验展开共409天，实验完毕后总坏块数为36个，并未添加。依据材料，10万次擦除寿数晚期单片的某一层坏区累计不到容量的2%，实验选用的芯片一共4096块，36個坏块的比率为0.88%，不超越厂家指标值。
以上便是Flash器材高低温擦写功能实验箱相关测验进程，如有实验疑问，能够拜访“环仪仪器”官网，咨询有关技术人员。
